SI3499DV-T1-GE3

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MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP

Número da pe?a NOVA:

312-2285660-SI3499DV-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI3499DV-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 8 V 5.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	6-TSOP
Número do produto base	SI3499
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	5.3A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	750mV @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Vgs (Máx.)	±5V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	8 V
Dissipação de energia (máx.)	1.1W (Ta)
Outros nomes	SI3499DV-T1-GE3-ND SI3499DVT1GE3 SI3499DV-T1-GE3TR SI3499DV-T1-GE3CT SI3499DV-T1-GE3DKR