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N-Channel 100 V 1.1A (Ta) 580mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB | |
Número do produto base | PMV280 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | TrenchMOS™ | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 1.1A (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385mOhm @ 1.1A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.7V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.8 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 190 pF @ 50 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 580mW (Ta) | |
Outros nomes | PMV280ENEAR-ND 1727-8341-1 1727-8341-2 1727-8341-6 934070697215 |
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