IPN80R4K5P7ATMA1

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MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223

Número da pe?a NOVA:

312-2285241-IPN80R4K5P7ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPN80R4K5P7ATMA1

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 800 V 1.5A (Tc) 6W (Tc) Surface Mount PG-SOT223

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-SOT223
Número do produto base	IPN80R4
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™ P7
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1.5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 20µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-261-4, TO-261AA
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	800 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	80 pF @ 500 V
Dissipação de energia (máx.)	6W (Tc)
Outros nomes	IPN80R4K5P7ATMA1TR IPN80R4K5P7ATMA1DKR SP001657536 IPN80R4K5P7ATMA1CT IPN80R4K5P7ATMA1-ND

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