IPB042N10N3GATMA1

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MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK

Número da pe?a NOVA:

312-2263267-IPB042N10N3GATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPB042N10N3GATMA1

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-3
Número do produto base	IPB042
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	100A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 150µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	117 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	8410 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	214W (Tc)
Outros nomes	IPB042N10N3GATMA1TR IPB042N10N3 G-ND IPB042N10N3GATMA1CT IPB042N10N3G IPB042N10N3 GCT-ND IPB042N10N3 GTR-ND IPB042N10N3 GDKR IPB042N10N3GATMA1DKR IPB042N10N3 GDKR-ND IPB042N10N3 GCT SP000446880 IPB042N10N3 G