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P-Channel 30 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | 150°C | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | S-Mini | |
Número do produto base | SSM3J353 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | U-MOSVI | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 2A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.4 nC @ 4.5 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Vgs (Máx.) | +20V, -25V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 159 pF @ 15 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 600mW (Ta) | |
Outros nomes | SSM3J353FLFTR SSM3J353F,LF(T SSM3J353FLFDKR SSM3J353FLFCT SSM3J353F,LF(B |
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