SIR876ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Número da pe?a NOVA:
312-2282784-SIR876ADP-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIR876ADP-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000

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N-Channel 100 V 40A (Tc) 5W (Ta), 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® SO-8
Número do produto base SIR876
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesTrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 40A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 49 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoPowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1630 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Outros nomesSIR876ADP-T1-GE3TR
SIR876ADP-T1-GE3DKR
SIR876ADP-T1-GE3CT

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