BSM300C12P3E301

SICFET N-CH 1200V 300A MODULE
Número da pe?a NOVA:
312-2291937-BSM300C12P3E301
Número da pe?a do fabricante:
BSM300C12P3E301
Embalagem padr?o:
4

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N-Channel 1200 V 300A (Tc) 1360W (Tc) Module

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteRohm Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Pacote de dispositivos do fornecedor Module
Número do produto base BSM300
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 300A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 80mA
Recurso FETStandard
Pacote / EstojoModule
Vgs (Máx.)+22V, -4V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.) 1360W (Tc)
Outros nomes846-BSM300C12P3E301

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