SI7115DN-T1-E3

MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Número da pe?a NOVA:
312-2281317-SI7115DN-T1-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI7115DN-T1-E3
Embalagem padr?o:
3,000

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P-Channel 150 V 8.9A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® 1212-8
Número do produto base SI7115
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesTrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 8.9A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 295mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 42 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoPowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETP-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)150 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1190 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.) 52W (Tc)
Outros nomesSI7115DN-T1-E3-ND
SI7115DN-T1-E3CT
SI7115DN-T1-E3DKR
SI7115DN-T1-E3TR

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