BUK755R4-100E127

N-CHANNEL POWER MOSFET
Número da pe?a NOVA:
312-2296529-BUK755R4-100E127
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
BUK755R4-100E127
Embalagem padr?o:
1

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N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricantePhilips
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-220AB
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 120A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-220-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 11810 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 349W (Tc)
Outros nomesNEXPHIBUK755R4-100E127
2156-BUK755R4-100E127

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