Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
IPB60R060C7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 35A TO263-3
Número da pe?a NOVA:
312-2292537-IPB60R060C7ATMA1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IPB60R060C7ATMA1
Embalagem padr?o:
1,000
Ficha técnica:
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N-Channel 650 V 35A (Tc) 162W (Tc) Surface Mount D2PAK (TO-263)
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | D2PAK (TO-263) | |
| Número do produto base | IPB60R060 | |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Series | CoolMOS™ C7 | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 35A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 15.9A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 800µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 68 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2850 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 162W (Tc) | |
| Outros nomes | SP001385008 IPB60R060C7ATMA1-ND IPB60R060C7ATMA1TR IPB60R060C7ATMA1CT IPB60R060C7ATMA1DKR |
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