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N-Channel 500 V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252AA | |
Número do produto base | FDD6N50 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | UniFET™ | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 6A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Máx.) | ±30V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 500 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9400 pF @ 25 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 89W (Tc) | |
Outros nomes | FDD6N50TM-WSDKR FDD6N50TM-WSTR FDD6N50TM_WSCT FDD6N50TMWS FDD6N50TM_WSDKR FDD6N50TM_WSCT-ND FDD6N50TM_WSTR-ND FDD6N50TM_WSDKR-ND FDD6N50TM_WS FDD6N50TM_WSTR FDD6N50TM-WSCT |
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