IPD50P03P4L11ATMA2

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MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31

Número da pe?a NOVA:

312-2287802-IPD50P03P4L11ATMA2

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPD50P03P4L11ATMA2

Embalagem padr?o:

2,500

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 30 V 50A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3-11
Número do produto base	IPD50P03
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS®-P2
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 85µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	+5V, -16V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3770 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	58W (Tc)
Outros nomes	448-IPD50P03P4L11ATMA2TR SP002325738 448-IPD50P03P4L11ATMA2CT 448-IPD50P03P4L11ATMA2DKR