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P-Channel 150 V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Fairchild Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | PowerTrench® | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2.2A (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 255mOhm @ 2.2A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
Vgs (Máx.) | ±25V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 150 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1130 pF @ 75 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 1W (Ta) | |
Outros nomes | FAIFSCFDS86267P 2156-FDS86267P |
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