NTH4L080N120SC1

SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
Número da pe?a NOVA:
312-2264833-NTH4L080N120SC1
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
NTH4L080N120SC1
Embalagem padr?o:
450

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N-Channel 1200 V 29A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-247-4L

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricanteonsemi
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-247-4L
Número do produto base NTH4L080
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.3V @ 5mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 20 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-247-4
Vgs (Máx.)+25V, -15V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1670 pF @ 800 V
Dissipação de energia (máx.) 170W (Tc)
Outros nomes488-NTH4L080N120SC1

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