IXTY1R4N120PHV

MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Número da pe?a NOVA:
312-2305972-IXTY1R4N120PHV
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
IXTY1R4N120PHV
Embalagem padr?o:
2,500

Formato de download disponível

N-Channel 1200 V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteIXYS
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-252AA
Número do produto base IXTY1
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesPolar
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 1.4A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24.8 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)±30V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 666 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 86W (Tc)

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