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N-Channel 100 V 68.8A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-252-3 | |
Número do produto base | DMT10 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | - | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 68.8A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 13A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 53.7 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2592 pF @ 50 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 3W (Ta) | |
Outros nomes | DMT10H010LK3-13DITR DMT10H010LK3-13DIDKR DMT10H010LK3-13DICT |
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