FDB86363-F085

MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Número da pe?a NOVA:
312-2290458-FDB86363-F085
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDB86363-F085
Embalagem padr?o:
800

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N-Channel 80 V 110A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricanteonsemi
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor D²PAK (TO-263)
Número do produto base FDB86363
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 110A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 150 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)80 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10000 pF @ 40 V
Dissipação de energia (máx.) 300W (Tc)
Outros nomesFDB86363_F085
FDB86363_F085CT
FDB86363-F085TR
FDB86363_F085TR-ND
FDB86363-F085CT
FDB86363_F085DKR
FDB86363_F085CT-ND
FDB86363_F085TR
FDB86363_F085DKR-ND
FDB86363-F085DKR

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