Alumínio
águia
Okad
Forro
Kikard
SCT2H12NZGC11
SICFET N-CH 1700V 3.7A TO3PFM
Número da pe?a NOVA:
312-2283619-SCT2H12NZGC11
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SCT2H12NZGC11
Embalagem padr?o:
450
Ficha técnica:
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N-Channel 1700 V 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | 175°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-3PFM | |
| Número do produto base | SCT2H12 | |
| Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.7A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 18V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 1.1A, 18V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 900µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 18 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-3PFM, SC-93-3 | |
| Vgs (Máx.) | +22V, -6V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1700 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 184 pF @ 800 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 35W (Tc) |
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