FQB5N50CTM

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Número da pe?a NOVA:
312-2275118-FQB5N50CTM
Número da pe?a do fabricante:
FQB5N50CTM
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:

Formato de download disponível

N-Channel 500 V 5A (Tc) 73W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteFairchild Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor D²PAK (TO-263)
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesQFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Máx.)±30V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)500 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 625 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 73W (Tc)
Outros nomes2156-FQB5N50CTM
FAIFSCFQB5N50CTM

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.