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P-Channel 50 V 200mA (Ta) 425mW (Ta) Surface Mount X1-DFN1006-3
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | X1-DFN1006-3 | |
Número do produto base | DMP56 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | - | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6Ohm @ 100mA, 4V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.58 nC @ 4 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | 3-UFDFN | |
Vgs (Máx.) | ±8V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 50 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 50.54 pF @ 25 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 425mW (Ta) | |
Outros nomes | DMP56D0UFB-7DIDKR DMP56D0UFB-7DITR DMP56D0UFB-7DICT |
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