HUF75329D3ST

MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
Número da pe?a NOVA:
312-2291147-HUF75329D3ST
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
HUF75329D3ST
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:

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N-Channel 55 V 20A (Tc) 128W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricanteonsemi
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-252AA
Número do produto base HUF75329
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesUltraFET™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 20A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65 nC @ 20 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)55 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1060 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 128W (Tc)
Outros nomesHUF75329D3STFSDKR
HUF75329D3STFSTR
HUF75329D3STFSCT
HUF75329D3ST-ND

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