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N-Channel 100 V 150A (Ta) 375W (Tc) Through Hole TO-220-3
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Texas Instruments | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220-3 | |
Número do produto base | CSD19536 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | NexFET™ | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 150A (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 100A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 153 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 100 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12000 pF @ 50 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 375W (Tc) | |
Outros nomes | 296-37289-5 296-37289-5-NDR -CSD19536KCS-NDR -CSD19536KCSINACTIVE |
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