SQJA20EP-T1

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SQJA20EP-T1_GE3

MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8

Número da pe?a NOVA:

312-2287853-SQJA20EP-T1_GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQJA20EP-T1_GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 200 V 22.5A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® SO-8
Número do produto base	SQJA20
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	22.5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	27 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® SO-8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	68W (Tc)
Outros nomes	SQJA20EP-T1_GE3DKR SQJA20EP-T1_GE3TR SQJA20EP-T1_GE3CT