IPD65R380E6

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

Número da pe?a NOVA:

312-2268442-IPD65R380E6

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPD65R380E6

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3-313
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	CoolMOS™ E6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	10.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 320µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 100 V
Dissipação de energia (máx.)	83W (Tc)
Outros nomes	INFINFIPD65R380E6 2156-IPD65R380E6

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