TPD3215M

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Número da pe?a NOVA:
303-2250719-TPD3215M
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TPD3215M
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:

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Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 70A (Tc) 470W Through Hole Module

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
FabricanteTransphorm
RoHS 1
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor Module
Pacote / EstojoModule
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34mOhm @ 30A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id -
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 8V
Recurso FETGaNFET (Gallium Nitride)
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)600V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 100V
Potência - Máx. 470W
Outros nomesTPH3215M
TPH3215M-ND

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