SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
Número da pe?a NOVA:
303-2254900-SIZ900DT-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SIZ900DT-T1-GE3
Embalagem padr?o:
3,000

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Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 24A, 28A 48W, 100W Surface Mount 6-PowerPair™

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 6-PowerPair™
Número do produto base SIZ900
Pacote / Estojo6-PowerPair™
SeriesTrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 24A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.2mOhm @ 19.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
Recurso FETLogic Level Gate
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1830pF @ 15V
Potência - Máx. 48W, 100W
Outros nomesSIZ900DT-T1-GE3DKR
SIZ900DTT1GE3
SIZ900DT-T1-GE3CT
SIZ900DT-T1-GE3TR

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