IPG20N10S4L22ATMA1

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Número da pe?a NOVA:

303-2248181-IPG20N10S4L22ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPG20N10S4L22ATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 60W Surface Mount PG-TDSON-8-4

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-4
Número do produto base	IPG20N10
Pacote / Estojo	8-PowerVDFN
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	22mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 25µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	27nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1755pF @ 25V
Potência - Máx.	60W
Outros nomes	IPG20N10S4L22ATMA1-ND IPG20N10S4L22ATMA1CT IPG20N10S4L22ATMA1TR IPG20N10S4L22ATMA1DKR SP000866570

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