SI9945BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
Número da pe?a NOVA:
303-2248151-SI9945BDY-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI9945BDY-T1-GE3
Embalagem padr?o:
2,500

Formato de download disponível

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-SOIC
Número do produto base SI9945
Pacote / Estojo8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SeriesTrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Recurso FETLogic Level Gate
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)60V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 665pF @ 15V
Potência - Máx. 3.1W
Outros nomesSI9945BDY-T1-GE3TR
SI9945BDY-T1-GE3CT
SI9945BDY-T1-GE3-ND
SI9945BDYT1GE3
SI9945BDY-T1-GE3DKR

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!