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Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 182A (Tj) 10mW (Tc) Chassis Mount -
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
Fabricante | Wolfspeed, Inc. | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Chassis Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | - | |
Pacote / Estojo | Module | |
Series | - | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 182A (Tj) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.4mOhm @ 150A, 15V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 46mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 472nC @ 15V | |
Recurso FET | Silicon Carbide (SiC) | |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13.6nF @ 800V | |
Potência - Máx. | 10mW (Tc) | |
Outros nomes | 1697-CAB008A12GM3 -3312-CAB008A12GM3 |
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