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Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 9.5A, 38A - Surface Mount Die
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
Fabricante | EPC | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | Die | |
Pacote / Estojo | Die | |
Series | eGaN® | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 9.5A, 38A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V | |
Recurso FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V | |
Potência - Máx. | - | |
Outros nomes | 917-1181-6 917-1181-2 917-1181-1 |
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