SIS903DN-T1-GE3

MOSFET DUAL P-CHAN POWERPAK 1212

Número da pe?a NOVA:

303-2246949-SIS903DN-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SIS903DN-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8 Dual
Número do produto base	SIS903
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8 Dual
Series	TrenchFET® Gen III
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Recurso FET	Standard
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2565pF @ 10V
Potência - Máx.	2.6W (Ta), 23W (Tc)
Outros nomes	SIS903DN-T1-GE3TR SIS903DN-GE3 SIS903DN-T1-GE3CT SIS903DN-T1-GE3DKR

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!