Alumínio águia Okad Forro Kikard 
SI4966DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
Número da pe?a NOVA:
303-2254918-SI4966DY-T1-E3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI4966DY-T1-E3
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V - 2W Surface Mount 8-SOIC
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | 8-SOIC | |
| Número do produto base | SI4966 | |
| Pacote / Estojo | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Series | TrenchFET® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 7.1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 4.5V | |
| Recurso FET | Logic Level Gate | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 20V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - | |
| Potência - Máx. | 2W | |
| Outros nomes | SI4966DY-T1-E3CT SI4966DYT1E3 SI4966DY-T1-E3DKR SI4966DY-T1-E3-ND SI4966DY-T1-E3TR |
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