Alumínio águia Okad Forro Kikard 
EPC2110ENGRT
GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
Número da pe?a NOVA:
303-2248991-EPC2110ENGRT
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
EPC2110ENGRT
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:
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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A - Surface Mount Die
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
| Fabricante | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Surface Mount | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | Die | |
| Número do produto base | EPC2110 | |
| Pacote / Estojo | Die | |
| Series | eGaN® | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.4A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 5V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 700µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 0.8nC @ 5V | |
| Recurso FET | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Source | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 120V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 80pF @ 60V | |
| Potência - Máx. | - | |
| Outros nomes | 917-EPC2110ENGRCT 917-EPC2110ENGRTR EPC2110ENGR 917-EPC2110ENGRDKR |
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