QJD1210011

MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Número da pe?a NOVA:
303-2255640-QJD1210011
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
QJD1210011
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:

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Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 900W Chassis Mount Module

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
FabricantePowerex Inc.
RoHS 1
Temperatura de operação -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor Module
Pacote / EstojoModule
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25mOhm @ 100A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 500nC @ 20V
Recurso FETSilicon Carbide (SiC)
Tipo FET2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)1200V (1.2kV)
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10200pF @ 800V
Potência - Máx. 900W

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