SQUN702E-T1_GE3

MOSFET N&P-CH COMMON DRAIN
Número da pe?a NOVA:
303-2250284-SQUN702E-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQUN702E-T1_GE3
Embalagem padr?o:
2,000

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Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 40V, 200V 30A (Tc), 20A (Tc) 48W (Tc), 60W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank Die

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount, Wettable Flank
Pacote de dispositivos do fornecedor Die
Número do produto base SQUN702
Pacote / EstojoDie
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 30A (Tc), 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 9.8A, 10V, 60mOhm @ 5A, 10V, 30mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 20V, 14nC @ 20V, 30.2nC @ 100V
Recurso FETStandard
Tipo FETN and P-Channel, Common Drain
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)40V, 200V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1474pF @ 20V, 1450pF @ 20V, 1302pF @ 100V
Potência - Máx. 48W (Tc), 60W (Tc)
Outros nomesSQUN702E-T1_GE3DKR
SQUN702E-T1_GE3CT
SQUN702E-T1_GE3TR

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