SI4618DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Número da pe?a NOVA:
303-2255289-SI4618DY-T1-GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SI4618DY-T1-GE3
Embalagem padr?o:
2,500

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Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 8A, 15.2A 1.98W, 4.16W Surface Mount 8-SOIC

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-SOIC
Número do produto base SI4618
Pacote / Estojo8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
SeriesTrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 8A, 15.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V
Recurso FETStandard
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1535pF @ 15V
Potência - Máx. 1.98W, 4.16W

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