SI5902BDC-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

Número da pe?a NOVA:

303-2247550-SI5902BDC-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI5902BDC-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 3.12W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	1206-8 ChipFET™
Número do produto base	SI5902
Pacote / Estojo	8-SMD, Flat Lead
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	7nC @ 10V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	220pF @ 15V
Potência - Máx.	3.12W
Outros nomes	SI5902BDC-T1-GE3TR SI5902BDC-T1-GE3CT SI5902BDC-T1-GE3DKR SI5902BDCT1GE3

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