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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Surface Mount S-Mini
Categoria | Transistores - Bipolares (BJT) - Simples, Pré-polarizados | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | S-Mini | |
Número do produto base | RN1406 | |
Series | - | |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | |
Resistor - Base Emissora (R2) | 47 kOhms | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
Frequência - Transição | 250 MHz | |
Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 500nA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 100 mA | |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased | |
Potência - Máx. | 200 mW | |
Outros nomes | RN1406,LF(B RN1406SLFDKR RN1406SLFCT RN1406SLFTR-ND RN1406SLFCT-ND RN1406LFCT RN1406SLFDKR-ND RN1406LFDKR RN1406,LF(T RN1406SLFTR RN1406SLF RN1406S,LF RN1406LFTR |
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