RN1102MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Número da pe?a NOVA:
304-2061960-RN1102MFV,L3F
Número da pe?a do fabricante:
RN1102MFV,L3F
Embalagem padr?o:
8,000

Formato de download disponível

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount VESM

More Information
CategoriaTransistores - Bipolares (BJT) - Simples, Pré-polarizados
FabricanteToshiba Semiconductor and Storage
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor VESM
Número do produto base RN1102
Series-
Resistor - Base (R1)10 kOhms
Resistor - Base Emissora (R2)10 kOhms
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA
Pacote / EstojoSOT-723
Corrente - Corte do Coletor (Máx)500nA
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.)50 V
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) 100 mA
Tipo de transistorNPN - Pre-Biased
Potência - Máx. 150 mW
Outros nomesRN1102MFVL3F(BDKR-ND
RN1102MFVL3FDKR
RN1102MFV (TL3,T)
RN1102MFVL3FCT
RN1102MFV(TL3T)TR
RN1102MFV,L3F(B
RN1102MFVL3FTR
RN1102MFVL3F-ND
RN1102MFVTL3T
RN1102MFVL3F(BTR
RN1102MFVL3F(BTR-ND
RN1102MFV(TL3,T)
RN1102MFVL3F(BCT-ND
RN1102MFVL3F
RN1102MFV(TL3T)CT
RN1102MFV(TL3T)TR-ND
RN1102MFV,L3F(T
RN1102MFV(TL3T)DKR
RN1102MFV(TL3T)DKR-ND
RN1102MFVL3F(BDKR
RN1102MFV(TL3T)CT-ND
RN1102MFVL3F(BCT

In stock Precisa de mais?

0,03240 US$
Whatsapp

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.