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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 20 mA 250 mW Surface Mount TO-236AB
Categoria | Transistores - Bipolares (BJT) - Simples, Pré-polarizados | |
Fabricante | Nexperia USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236AB | |
Número do produto base | PDTA115 | |
Series | - | |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms | |
Resistor - Base Emissora (R2) | 100 kOhms | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA | |
Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100nA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 20 mA | |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased | |
Potência - Máx. | 250 mW | |
Outros nomes | 568-2109-2-ND 568-2109-1-ND 1727-3011-2 934058185215 1727-3011-1 PDTA115ET T/R PDTA115ET215 568-2109-2 568-2109-1 1727-3011-6 568-2109-6 568-2109-6-ND |
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