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Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 200 mA 250MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-92-3 | |
Número do produto base | 2N3906 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 1V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 50mA | |
Frequência - Transição | 250MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | - | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 40 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 200 mA | |
Tipo de transistor | PNP | |
Potência - Máx. | 625 mW | |
Outros nomes | 2N3906TARTB 2N3906TARFSTB 2N3906TARFSCT 2N3906TARTB-ND 2N3906TAR-ND |
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