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Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 5 A - 1.3 W Through Hole TO-126-3
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-126-3 | |
Número do produto base | KSD1691 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-225AA, TO-126-3 | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2A, 1V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 200mA, 2A | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 10µA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 60 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 5 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 1.3 W | |
Outros nomes | KSD1691YSFS KSD1691YS-ND |
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