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Bipolar (BJT) Transistor NPN 450 V 4 A 4MHz 25 W Through Hole TO-251
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-251 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 2A, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 1A, 4A | |
Frequência - Transição | 4MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | - | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 450 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 4 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 25 W |
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