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Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 4 A - 75 W Through Hole TO-220AB
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | WeEn Semiconductors | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-220AB | |
Número do produto base | PHE13 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-220-3 | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 2A, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1A, 4A | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100µA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 400 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 4 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 75 W | |
Outros nomes | PHE13005 568-8367-5-ND PHE13005-ND PHE13005,127-ND 1740-1198 934055423127 PHE13005127 568-8367-5 |
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