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Bipolar (BJT) Transistor NPN 12 V - 400 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | Microsemi Corporation | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-18 (TO-206AA) | |
Número do produto base | 2N3960 | |
Series | Military, MIL-PRF-19500/399 | |
Pacote / Estojo | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 1V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 3mA, 30mA | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 10µA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 12 V | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 400 mW | |
Outros nomes | 1086-20938-MIL 1086-20938-ND 1086-20938 150-JAN2N3960 |
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