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Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 80MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | NXP USA Inc. | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-92-3 | |
Número do produto base | 2PC18 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA | |
Frequência - Transição | 80MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100nA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 150 mA | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 500 mW | |
Outros nomes | 2PC1815Y AMO 2PC1815Y AMO-ND 933988970126 |
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