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Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 8 A - 125 W Through Hole TO-247-3
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | STMicroelectronics | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-3 | |
Número do produto base | BU508 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 100mA, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 1.6A, 4.5A | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 200µA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 700 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 8 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 125 W | |
Outros nomes | 497-7196-5 BU508AW-ND |
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