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Bipolar (BJT) Transistor NPN 225 V 5 A - 50 W Through Hole TO-66
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | General Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-66 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-213AA, TO-66-2 | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 3A, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 2.5V @ 1A, 5A | |
Frequência - Transição | - | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 1mA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 225 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 5 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 50 W | |
Outros nomes | 2156-2N6233 GSIGSI2N6233 |
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