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Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.2 A 155MHz 1.2 W Through Hole TO-126-3
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | onsemi | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-126-3 | |
Número do produto base | KSC2690 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-225AA, TO-126-3 | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 300mA, 5V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 200mA, 1A | |
Frequência - Transição | 155MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 1µA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 160 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 1.2 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 1.2 W |
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