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Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 80MHz 150 mW Surface Mount TO-236
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | 125°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-236 | |
Número do produto base | 2SC2712 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 2mA, 6V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA | |
Frequência - Transição | 80MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 100nA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 50 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 150 mA | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 150 mW | |
Outros nomes | 2SC2712-O (TE85L,F) 2SC2712-O(TE85L,F) 2SC2712-OTE85LFCT 2SC2712-OTE85LFTR 2SC2712-OTE85LFDKR |
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